電弧離子鍍的原理是在冷陰極真空弧光放電的理論的基礎(chǔ)上研究出來的。而多弧離子鍍膜機(jī)的核心技術(shù)是它的電弧蒸發(fā)源，多弧離子鍍膜機(jī)的蒸發(fā)源是一種比較特殊的冷陰極電弧放電的自蒸發(fā)、自電離式的一種固體型蒸發(fā)源。

　　相較于傳統(tǒng)的蒸發(fā)源，多弧離子鍍膜機(jī)的電弧蒸發(fā)源的特點(diǎn)明顯：

　　鍍膜膜層致密度高，膜層壽命長、強(qiáng)度高；

　　作為固體型的電弧蒸發(fā)源，可改變其形狀、大小及位置；

　　運(yùn)行真空范圍大；

　　更高的離子能量；

　　可達(dá)60％-80％的高離化率；

　　高沉積速率，如TiN，可做到100nm/s~1000nm/s的高沉積速率。

　　多弧離子鍍膜機(jī)的電弧蒸發(fā)源原理是通過一個冷陰極自持電弧放電，是一種場致發(fā)射。蒸發(fā)源的典型的基本配置為：受鍍基材與陰極相接，陽極接真空室，待真空室抽到到高些的真空狀態(tài)、觸發(fā)電極啟動器接觸打開，形成一個穩(wěn)定的電弧放電于陽極和陰極之間，而在陰極的表面覆蓋有很多快速移動的陰極斑，斑直徑在1μm到兩微米之間，還有直徑約10μm的光斑，有每秒移動幾十米的速度，電流之間密度為10 ? A/cm?-10 ? A/cm?，極間電壓也降低到20V-40V之間。于陰極斑的前面是一些等離子體，電子飛速移至陽極，離子是處于一種相對靜止在鍍膜空間中，陰極斑前方的正離子集合成正空間電荷，于陰極表面附近形成10 ? v/cm?10 ? v/cm的高強(qiáng)度電場，用以克服在陰極的勢壘，以強(qiáng)電子發(fā)射來維持放電，但一些離子因為被陰極轟擊而導(dǎo)致了陰極斑的局部快速蒸發(fā)、離化，從而使陰極斑變?yōu)槲Ⅻc(diǎn)的蒸發(fā)源。在陰極靶的范圍內(nèi)，由于絕緣屏蔽和磁場的作用而使這些微點(diǎn)蒸發(fā)源在該范圍內(nèi)做無規(guī)則運(yùn)動，也就形成了均勻的大面積蒸發(fā)源。

　　所謂多弧離子鍍膜機(jī)就是用多個電弧蒸發(fā)源為核心的一種離子鍍膜設(shè)備，通常又叫多弧鍍膜、弧鍍、電弧鍍膜等。相較于其他鍍膜工藝，它具備的特點(diǎn)有：

　　機(jī)械整體簡單、設(shè)備生產(chǎn)效率高、工作周期短、適合大批量的工業(yè)化生產(chǎn)。

　　較大的鍍膜空間。 電弧蒸發(fā)源為固態(tài)，可靈活放置，所以工件在裝卡更換時更加簡單，無需附加加熱器使用。

　　工藝范圍廣。適合在較高真空或較低環(huán)境溫度（200?C）下做反應(yīng)鍍、離子鍍。

　　具備優(yōu)異的膜性能。工件的轟擊加熱、清潔和沉積交由離化金屬等離子體轟擊完成，實(shí)現(xiàn)“一弧三用”，且膜層結(jié)構(gòu)致密性高，膜層與鍍件牢固結(jié)合。

　　標(biāo)簽：多弧鍍膜電源