電弧離子鍍的原理是在冷陰極真空弧光放電的理論的基礎上研究出來的。而多弧離子鍍膜機的核心技術是它的電弧蒸發源，多弧離子鍍膜機的蒸發源是一種比較特殊的冷陰極電弧放電的自蒸發、自電離式的一種固體型蒸發源。

　　相較于傳統的蒸發源，多弧離子鍍膜機的電弧蒸發源的特點明顯：

　　鍍膜膜層致密度高，膜層壽命長、強度高；

　　作為固體型的電弧蒸發源，可改變其形狀、大小及位置；

　　運行真空范圍大；

　　更高的離子能量；

　　可達60％-80％的高離化率；

　　高沉積速率，如TiN，可做到100nm/s~1000nm/s的高沉積速率。

　　多弧離子鍍膜機的電弧蒸發源原理是通過一個冷陰極自持電弧放電，是一種場致發射。蒸發源的典型的基本配置為：受鍍基材與陰極相接，陽極接真空室，待真空室抽到到高些的真空狀態、觸發電極啟動器接觸打開，形成一個穩定的電弧放電于陽極和陰極之間，而在陰極的表面覆蓋有很多快速移動的陰極斑，斑直徑在1μm到兩微米之間，還有直徑約10μm的光斑，有每秒移動幾十米的速度，電流之間密度為10 ? A/cm?-10 ? A/cm?，極間電壓也降低到20V-40V之間。于陰極斑的前面是一些等離子體，電子飛速移至陽極，離子是處于一種相對靜止在鍍膜空間中，陰極斑前方的正離子集合成正空間電荷，于陰極表面附近形成10 ? v/cm?10 ? v/cm的高強度電場，用以克服在陰極的勢壘，以強電子發射來維持放電，但一些離子因為被陰極轟擊而導致了陰極斑的局部快速蒸發、離化，從而使陰極斑變為微點的蒸發源。在陰極靶的范圍內，由于絕緣屏蔽和磁場的作用而使這些微點蒸發源在該范圍內做無規則運動，也就形成了均勻的大面積蒸發源。

　　所謂多弧離子鍍膜機就是用多個電弧蒸發源為核心的一種離子鍍膜設備，通常又叫多弧鍍膜、弧鍍、電弧鍍膜等。相較于其他鍍膜工藝，它具備的特點有：

　　機械整體簡單、設備生產效率高、工作周期短、適合大批量的工業化生產。

　　較大的鍍膜空間。 電弧蒸發源為固態，可靈活放置，所以工件在裝卡更換時更加簡單，無需附加加熱器使用。

　　工藝范圍廣。適合在較高真空或較低環境溫度（200?C）下做反應鍍、離子鍍。

　　具備優異的膜性能。工件的轟擊加熱、清潔和沉積交由離化金屬等離子體轟擊完成，實現“一弧三用”，且膜層結構致密性高，膜層與鍍件牢固結合。

　　標簽：多弧鍍膜電源